完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 吳耀銓 | en_US |
| dc.contributor.author | YEWCHUNG SERMONWU | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:35:20Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:35:20Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | NSC91-2216-E009-026 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/93348 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=785516&docId=151057 | en_US |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 光資訊關鍵性材料製程與性質研究---子計畫V：用晶圓接合與溼式蝕刻方式來剝離側向覆蓋生長之氮化鎵磊晶層(I) | zh_TW |
| dc.title | Lift off GaN Epitaxy Lateral Overgrowth Layer by Wafer Bonding and Wet Etching Methods (I) | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |
| dc.contributor.department | 交通大學材料科學與工程系 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 研究計畫 | |
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