半導體特性---高壓相變,超輻射及量子傳輸研究(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	褚德三	en_US
dc.contributor.author	CHUU DER SAN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:35:35Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:35:35Z	-
dc.date.issued	2001	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC90-2112-M009-026	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/93499	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=710368&docId=133086	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	半導體特性---高壓相變,超輻射及量子傳輸研究(II)	zh_TW
dc.title	Studies on the Physical Properties of Semiconductors(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫