標題: | 等價位氮化物元件結構製備與相關物理特性研究(I) Characterizations and Fabrications of Isoelectronic Doped Nitride Device Structures(I) |
作者: | 陳衛國 WEI-KUOCHEN 國立交通大學電子物理學系 |
關鍵字: | 等價位氮化物;特性;元件;Isoelectronic nitride;Characterization;Device |
公開日期: | 2001 |
官方說明文件#: | NSC90-2112-M009-044 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/93578 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=639691&docId=119715 |
顯示於類別: | 研究計畫 |