氫化物氣相磊晶之側向蔓延磊晶技術之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	施敏	en_US
dc.contributor.author	SZE SIMON MIN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:36:52Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:36:52Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2215-E009-038	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94235	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=417924&docId=74127	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氫化物	zh_TW
dc.subject	選擇性成長	zh_TW
dc.subject	三五族化合物	zh_TW
dc.subject	側向蔓延成長	zh_TW
dc.subject	磊晶	zh_TW
dc.subject	Hydride	en_US
dc.subject	Selective growth	en_US
dc.subject	Ⅲ-V compound	en_US
dc.subject	Lateral overgrowth	en_US
dc.subject	Epitaxy	en_US
dc.title	氫化物氣相磊晶之側向蔓延磊晶技術之研究	zh_TW
dc.title	Investigation of the Epitaxial Lateral Overgrowth by Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子工程系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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