標題: | 薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析 Analysis of Hot Carrier Reliability for Thin Gate Oxide Deep-Submicron nMOSFET's |
作者: | 莊紹勳 Chung Steve S 交通大學電子工程系 |
關鍵字: | 熱載子;可靠度;氧化層;金氧半場效電晶體;深次微米;洩漏電流;Hot carrier;Reliability;Oxided larger;MOSFET;Deep submicrometer;Leakage current |
公開日期: | 1999 |
官方說明文件#: | NSC88-2215-E009-041 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/94333 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=418054&docId=74156 |
顯示於類別: | 研究計畫 |