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dc.contributor.author陳振芳en_US
dc.contributor.authorCHEN JENN-FANGen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:37:06Z-
dc.date.available2014-12-13T10:37:06Z-
dc.date.issued1999en_US
dc.identifier.govdocNSC88-2112-M009-032zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/94377-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=439535&docId=79333en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject低溫zh_TW
dc.subject分子束磊晶zh_TW
dc.subject負電容zh_TW
dc.subject慣性導通電流zh_TW
dc.subjectLow temperatureen_US
dc.subjectMolecular beam epitaxyen_US
dc.subjectNegative capacitanceen_US
dc.subjectInertial conducting currenten_US
dc.title低溫分子束成長砷化鎵負電容研究及交互式光調制反光譜技術及應用zh_TW
dc.titleStudy of Negative Capacitance Effect of Low-Temperature GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxyen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子物理系zh_TW
顯示於類別:研究計畫


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  1. 882112M009032.pdf

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