第三、五族雜質在矽、鍺晶面上氣相生長之原子與電子結構研究

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林登松	en_US
dc.contributor.author	DENG-SUNGLIN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:08Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:08Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2112-M009-005	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94413	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426144&docId=76091	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	半導體	zh_TW
dc.subject	雜質	zh_TW
dc.subject	化學氣相沈積	zh_TW
dc.subject	表面物理	zh_TW
dc.subject	Semiconductor	en_US
dc.subject	Impurity	en_US
dc.subject	Chemical vapor deposition (CVD)	en_US
dc.subject	Surface physics	en_US
dc.title	第三、五族雜質在矽、鍺晶面上氣相生長之原子與電子結構研究	zh_TW
dc.title	Atomic Level Investigation of Boron and Phosphorus Chemical Vapor Deposition on Si, Ge Surfaces	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學物理研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。