化學氣相沈積氧化鉭在Noble金屬電極之動態隨機存取記憶體電容器之研究

標題:	化學氣相沈積氧化鉭在Noble金屬電極之動態隨機存取記憶體電容器之研究 Study of CVD Ta205 on Noble Metal Electrode for High-Density DRAM Capacitors
作者:	羅正忠交通大學電子工程系
關鍵字:	氧化鉭;動態隨機存取記憶體;化學氣相沈積法;記憶體元件;電容器;Tantalum oxide;DRAM;CVD;Memory device;Capacitor
公開日期:	1999
官方說明文件#:	NSC88-2215-E009-035
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94447 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444202&docId=80442
顯示於類別：	研究計畫

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