三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫III：三五族氮化合物半導體物理特性以及電性量測分析與研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳振芳	en_US
dc.contributor.author	CHEN JENN-FANG	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:20Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:20Z	-
dc.date.issued	1999	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC88-2112-M009-023	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94559	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426255&docId=76117	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氮化合物	zh_TW
dc.subject	金屬有機化學蒸鍍法	zh_TW
dc.subject	深層能階	zh_TW
dc.subject	異質接面	zh_TW
dc.subject	Nitride	en_US
dc.subject	Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)	en_US
dc.subject	Deep level	en_US
dc.subject	Heterojunction	en_US
dc.title	三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫III：三五族氮化合物半導體物理特性以及電性量測分析與研究	zh_TW
dc.title	Study of Physics and Electrical Properties of III-V Nitride Semiconductors	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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