三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫一：三五氮化合物半導體薄膜之物理特性研究(II)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李明知	en_US
dc.contributor.author	LEE MING-CHIH	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:37Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:37Z	-
dc.date.issued	1998	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC87-2112-M009-020	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94768	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=370470&docId=66564	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氮化物	zh_TW
dc.subject	有機金屬化學氣相磊晶	zh_TW
dc.subject	光譜分析	zh_TW
dc.subject	電性傳輸現象	zh_TW
dc.subject	Nitride	en_US
dc.subject	MOCVD	en_US
dc.subject	Spectral analysis	en_US
dc.subject	Electrical transport	en_US
dc.title	三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫一：三五氮化合物半導體薄膜之物理特性研究(II)	zh_TW
dc.title	Physical Property Studies of III-V Semiconducting Nitride Films(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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