三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫二：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與物理特性之研究(II)

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳衛國	en_US
dc.contributor.author	WEI-KUOCHEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:37:59Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:37:59Z	-
dc.date.issued	1998	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC87-2112-M009-021	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/94994	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=370223&docId=66503	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	半導體材料	zh_TW
dc.subject	薄膜	zh_TW
dc.subject	物理特性	zh_TW
dc.subject	Semiconducting material	en_US
dc.subject	Thin film	en_US
dc.subject	Physical property	en_US
dc.title	三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫二：GaN類半導體材料及物理結構之薄膜製備與物理特性之研究(II)	zh_TW
dc.title	Characterization and Growth of GaN Related Compounds and Their Heterostructures(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。