| 標題: | 氮化鎵藍色發光二極體材料與元件技術開發---子計畫一：氮化鎵藍色發光二極體材料與元件技術研發(III) System Setup and Material Growth of GaN/In (Al) GaN MOCVD(III) |
| 作者: | 馮明憲 交通大學材料科學與工程研究所 |
| 關鍵字: | 二極體;氮化鎵;有機金屬化學氣相沈積法;Diode;GaN;Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) |
| 公開日期: | 1998 |
| 官方說明文件#: | NSC87-2215-E009-001 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/95043 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=411814&docId=72933 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
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