次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術

標題:	次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術 Oxide Trap Transient Spectroscopy in a MOSFET
作者:	汪大暉 WANG TAHUI 交通大學電子工程系
關鍵字:	氧化層缺陷;暫態特性;空間分布;電場效應;Oxide trap;Transient characteristics;Spatial distribution;Field effect
公開日期:	1998
官方說明文件#:	NSC87-2215-E009-060
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95073 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=409152&docId=72447
Appears in Collections:	Research Plans