| 標題: | 次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術 Oxide Trap Transient Spectroscopy in a MOSFET |
| 作者: | 汪大暉 WANG TAHUI 交通大學電子工程系 |
| 關鍵字: | 氧化層缺陷;暫態特性;空間分布;電場效應;Oxide trap;Transient characteristics;Spatial distribution;Field effect |
| 公開日期: | 1998 |
| 官方說明文件#: | NSC87-2215-E009-060 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/95073 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=409152&docId=72447 |
| 顯示於類別： | 研究計畫 |
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