二六族稀磁性半導體特性及高壓相變與理論物理之探討

標題:	二六族稀磁性半導體特性及高壓相變與理論物理之探討 Investigation of High Pressure Phase Transition of Diluted Magnetic II-VI Semiconductors and Studies of Theoretical Physics
作者:	褚德三 CHUU DER SAN 交通大學電子物理系
關鍵字:	稀磁性半導體;碳微管;量子霍爾效應;薄膜;單晶;Diluted magnetic semiconductor;Carbon nanotube;Quantum hall effect;Thin film;Single crystal
公開日期:	1998
官方說明文件#:	NSC87-2112-M009-009
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95146 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=370365&docId=66538
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