斷能隙N型GaAsb/P型InAs異質結構載子傳輸效應之研究

標題:	斷能隙N型GaAsb/P型InAs異質結構載子傳輸效應之研究 Study of Carrier Transport of n-GaSb/p-InAs Broken Bandgap Heterostructure
作者:	陳衛國 WEI-KUOCHEN 交通大學電子物理系
關鍵字:	斷帶能隙;負電阻;二維電子氣;二維電洞氣;Broken gap;Negative differential resistance;Two dimensional electron gas;Two dimensional hole gas;n-GaSb/P-InAs
公開日期:	1997
官方說明文件#:	NSC86-2112-M009-005
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95221 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=288134&docId=52407
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