有機金屬氣相磊晶法成長砷化銦鎵與砷化銦量子點特性研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李威儀	en_US
dc.contributor.author	LEE WEI-I	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:38:32Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:38:32Z	-
dc.date.issued	2001	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC90-2112-M009-041	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/95476	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=639680&docId=119712	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	砷化銦鎵	zh_TW
dc.subject	砷化銦	zh_TW
dc.subject	量子點	zh_TW
dc.subject	有機金屬氣相磊晶法	zh_TW
dc.subject	InGaAs	en_US
dc.subject	InAs	en_US
dc.subject	Quantum dot	en_US
dc.subject	MOCVD	en_US
dc.title	有機金屬氣相磊晶法成長砷化銦鎵與砷化銦量子點特性研究	zh_TW
dc.title	Study the Characteristics of InGaAs and InAs Quantum Dots Grown by MOCVD	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫

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