完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 裘性天 | en_US |
dc.contributor.author | CHIU HSIN-TIEN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:38:37Z | - |
dc.date.available | 2014-12-13T10:38:37Z | - |
dc.date.issued | 1997 | en_US |
dc.identifier.govdoc | NSC86-2113-M009-003 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/95546 | - |
dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=270240&docId=48083 | en_US |
dc.description.abstract | 本計畫將繼續本研究室之研究, 嘗試以分子化合物為前驅物,合成無機材料. 重點有以下列四點:一. 合成及鑑定新化合物, 以可能成做無機材料前驅物者為目標.如含第五及六族過渡金屬-氮雙鍵之有機亞�類錯合物及金屬-氮參鍵之氮化合物,多矽有機金屬化合物等等.二. 從新合成之錯合物中選擇較合適者以為化學氣相沉積反應之前驅物,以成長薄膜. 如金屬氮化物, 氧化物, 碳化物薄膜等等.三. 嘗試以分子化合物為前驅物, 合成無機粉末材料.四. 化學氣相沉積中所產生的氣體產物之分析,以進一步瞭解前驅物分解之反應途徑. | zh_TW |
dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 過渡金屬有機亞胺類化合物 | zh_TW |
dc.subject | 過渡金屬氮化合物 | zh_TW |
dc.subject | 聚矽有機金屬 | zh_TW |
dc.subject | 化學氣相沈積 | zh_TW |
dc.subject | 金屬氮化物薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 金屬氮化物粉末 | zh_TW |
dc.subject | 金屬氧化物粉末 | zh_TW |
dc.subject | 碳化矽薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 前驅物 | zh_TW |
dc.subject | 分解 | zh_TW |
dc.subject | Transition metal organoimido complex | en_US |
dc.subject | Transition metal nitrido complex | en_US |
dc.subject | Organopolysilane | en_US |
dc.subject | Chemical vapor deposition | en_US |
dc.subject | Metal nitride thin film | en_US |
dc.subject | Metal nitride powder | en_US |
dc.subject | Metal oxide powder | en_US |
dc.subject | Silicon carbide thin film | en_US |
dc.subject | Precursor | en_US |
dc.subject | Decomposition | en_US |
dc.title | 分子化合物合成無機材料之新方法(I) | zh_TW |
dc.title | New Molecular Routes to Inorganic Materials (I) | en_US |
dc.type | Plan | en_US |
dc.contributor.department | 交通大學應用化學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 研究計畫 |