銅的化學氣相沉積技術及其在深次微米積體電路之應用的研究(II)

Date

Authors

Keywords

銅, 化學氣相沉積, 擴散障壁材料, 惰化, 深次微米, Cu, CVD, Barrier metal, Passivation, Deep submicron

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=278865&docId=50212
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95593

Collections

研究計畫;;Research Plans