標題: | 次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制 Experimental Study and Suppression of ESD/Latch-Up in Submicron CMOS |
作者: | 陳明哲 CHEN MING-JER 國立交通大學電子工程學系 |
關鍵字: | 靜電放電;鎖定;基座偏壓產生器;次微米超大型積體電路;ESD;Latch-up;Substrate bias generator;Submicron VLSI |
公開日期: | 1996 |
官方說明文件#: | NSC85-2215-E009-048 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/95770 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234622&docId=43069 |
顯示於類別: | 研究計畫 |