標題: 次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制
Experimental Study and Suppression of ESD/Latch-Up in Submicron CMOS
作者: 陳明哲
CHEN MING-JER
國立交通大學電子工程學系
關鍵字: 靜電放電;鎖定;基座偏壓產生器;次微米超大型積體電路;ESD;Latch-up;Substrate bias generator;Submicron VLSI
公開日期: 1996
官方說明文件#: NSC85-2215-E009-048
URI: http://hdl.handle.net/11536/95770
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234622&docId=43069
顯示於類別:研究計畫