次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制

Title:	次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制 Experimental Study and Suppression of ESD/Latch-Up in Submicron CMOS
Authors:	陳明哲 CHEN MING-JER 國立交通大學電子工程學系
Keywords:	靜電放電;鎖定;基座偏壓產生器;次微米超大型積體電路;ESD;Latch-up;Substrate bias generator;Submicron VLSI
Issue Date:	1996
Gov't Doc #:	NSC85-2215-E009-048
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95770 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234622&docId=43069
Appears in Collections:	Research Plans

APA	陳., & CHEN M. (1996). 次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234622&docId=43069.
Bibtex	@article{1996, title={次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制}, author={陳明哲 and CHEN MING-JER}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234622&docId=43069}, year={1996}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95770}, }