完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳振芳 | en_US |
| dc.contributor.author | CHEN JENN-FANG | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:38:59Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:38:59Z | - |
| dc.date.issued | 1996 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | NSC85-2112-M009-048 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/95935 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=223289&docId=40031 | en_US |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫三：三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性之研究(I) | zh_TW |
| dc.title | Study of Electrical Properties of III-V Nitride Semiconductors(I) | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |
| dc.contributor.department | 國立交通大學電子物理學系 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 研究計畫 | |
