三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性---子計畫二：GaN類半導體材料及物理結構之光性研究(I)

標題:	三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性---子計畫二：GaN類半導體材料及物理結構之光性研究(I) Physical Property Studies of III-V Semiconductor Nitride Films---Optical Property Studies of GaN-Based Semiconductor Materials and Structures (I)
作者:	陳衛國 WEI-KUOCHEN 國立交通大學電子物理學系
公開日期:	1996
官方說明文件#:	NSC85-2112-M009-047
URI:	http://hdl.handle.net/11536/95936 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=223293&docId=40032
顯示於類別：	研究計畫