次微米砷化銦鎵假晶高電子遷移率場效應電晶體之研究

Abstract

本計畫擬以多層砷化鎵/砷化銦鎵(InGaAs)量 子能障結構(Multi-quantum barrier)提昇傳統的砷化 鎵/砷化銦鎵假晶(Pseudomorphic)高電子遷移率電 晶體(High electron mobility transistor,HEMT)在異質接 面的導帶位能差值,以提昇載子在場效電晶體通道中的聚集率,以提高場效電晶體的電導.由 於砷化銦鎵本身具有比砷化鎵較高的電子遷移 率,因此砷化鎵/砷化銦鎵假晶場效電晶體已被 視為取代砷化鎵電晶體之下一代電晶體,目前 也已經大量應用於民生及國防工業上.而在砷 化鎵各類電晶體中,HEMT在高頻之下具有超低噪 音的特性,使得在高頻低噪音放大器中,HEMT為其 中之翹楚,因而被廣泛地應用在衛星直接傳播 系統(Direct broadcasting systmes),衛星通訊、全球定位系統(Global positioning system)、個人通訊網路( Personalcommunication network),在軍事上亦被廣泛地 應用在飛彈追蹤器、雷達接收系統上.其在高 頻下之特性,應用十分廣泛,發展潛力雄厚,實為 一深具開發價值之產品.本計畫之主要目的,即利用砷化鎵/砷化銦鎵假晶材料研究砷化銦鎵 高電子遷移率電晶體,並以多層砷化鎵/磷化銦 鎵量子能障結構提昇其特性.交通大學在砷化 鎵方面,已有多年之研究經驗,而本計畫主持人( 張俊彥教授),在國內也有多年之MOCVD與MBE成長 及HEMT實作經驗,其帶動國內砷化鎵之學術研究 及工業應用其貢獻是可以預期的.