新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I)

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	吳慶源	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:31Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:31Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2215-E009-021	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96579	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=178802&docId=30774	en_US
dc.description.abstract	本研究計畫針對未來極大型高速、高密度靜態隨機存取記憶系統的發展趨勢,提出一些新的靜態隨機存取記憶細胞元,並評估其優缺點.以分年分期的方式,根據次微米至深次微米金氧半場效電晶體的設計準則,按步就班地由記憶細胞元的設計、感應放大器、測試鍵的製造及驗證,至新的極大型積體電路記憶系統的設計及製造.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	靜態隨機存取記憶器	zh_TW
dc.subject	金氧半場效電晶體	zh_TW
dc.subject	記憶細胞元	zh_TW
dc.subject	極大型積體電路	zh_TW
dc.subject	SRAM	en_US
dc.subject	MOS	en_US
dc.subject	Memory cell	en_US
dc.subject	ULSI	en_US
dc.subject	VLSI	en_US
dc.title	新高密度及高速靜態隨機存取記憶細胞元及其記憶系統---設計及製造(I)	zh_TW
dc.title	New High-Density and High-Speed SRAM Cells and Memory System---Design and Fabrication (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程研究所	zh_TW
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