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dc.contributor.author陳登銘en_US
dc.contributor.authorTENG-MINGCHENen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:32Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:32Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.govdocNSC84-2112-M009-026-PHzh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96603-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=180193&docId=31071en_US
dc.description.abstract本研究之主旨在於利用化學合成的原理與 單晶成長技術製作大型鉈系與汞系靶材,以供 製備鉈系與汞系超導薄膜.此外,成長鉈系與汞 系超導氧化物單晶之主旨在於藉具有類二維結 構的超導氧化物、電、磁、光譜與結構特性之 鑑定與分析,了解其超導性之機制.本研究亦將 探討汞鋇鈣銅氧系統相平衡與新化合物發掘之 可能性.其中氧化汞與Ba/sub2/CaCuO/sub 4/及Ba/sub 4 /CaCu/sub 3/O/sub 8/的反應將被分別優先探討.基於 汞系中相平衡的研究基礎,我們試圖研究汞鋇 鈣銅氧化合單晶之可行性,並建立相關的長晶 技術.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject鉈系超導體zh_TW
dc.subject汞系超導體zh_TW
dc.subject相平衡zh_TW
dc.subject單晶成長zh_TW
dc.subject靶材zh_TW
dc.subjectThallium-based superconductoren_US
dc.subjectMercury-based superconductoren_US
dc.subjectPhase equilibriaen_US
dc.subjectCrystal growthen_US
dc.subjectTarget materialen_US
dc.title薄膜超導元件的研製與特性探討---子計畫一:新穎鉈系與汞系高溫超導體與其靶材之研製(II)zh_TW
dc.titleA Study on the Preparation of Novel Tl- and Hg-Based Supperconductors and Their Target Materials(II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子物理學系zh_TW
顯示於類別:研究計畫