薄膜超導元件的研製與特性探討---鉈系2223 超導薄膜的人工弱連接接面的約瑟夫遜效應及磁通線動力研究(II)

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	溫增明	en_US
dc.contributor.author	UEN TZENG-MING	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:37Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:37Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2112-M009-019-PH	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96671	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=184454&docId=31857	en_US
dc.description.abstract	在本計畫內,我們擬以高臨界電流密度及微單晶鉍系高溫超導薄膜製程,在Bi crystal基片上製作Grain-boundary接面陣列,在Step-edged基片上製作接面陣列,對本實驗室以前磁通線動力弱連接模型做進一步深入了解與驗證.並以RSCJ模型為基礎,模擬在外力磁場及微波照射下的電流- 電壓特性,期能對這些接面特性做系統性探討. 我們擬進行的主要工作為:(1) Bi crystal基片及一般基板上製備品質穩定的Grain-boundary接面和Step-edged SNS及SIS接面;(2)以原子力顯微鏡(AFM),低溫穿隧顯微鏡(LTSTM)和SEM觀察接面附近的狀況, 以瞭解造成弱連接接面的結構成因,並了解其穿隧特性;(3)在外加磁場及微波輻射下,量測其電流傳輸特性,以驗證磁通線動力的弱連接模型.並量取RSCJ模型所需模擬參數,以與模擬結果比較;(4)做RSCJ模型模擬.(此部分工作與郭義雄教授合作).預計在本計畫執行期限內,可以建立鉈系高品質超導薄膜較大尺度約瑟夫遜接面製程.與今年執行的較小尺度內在弱連接微橋比較,可增進瞭解不同尺度的系統性弱連接微橋特性.並透過接面陣列可對顆粒性薄膜的磁通線弱連接動力行為,包括磁通量子穿隧和直流- 交流相鎖定效應有實驗上的觀察.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	鉈系超導薄膜	zh_TW
dc.subject	Bi-crystal接面	zh_TW
dc.subject	Grain-boundary接面	zh_TW
dc.subject	Step-edge接面	zh_TW
dc.subject	磁通線動力模型	zh_TW
dc.subject	RSCJ模型	zh_TW
dc.subject	電流傳輸特性	zh_TW
dc.subject	Tl-based film	en_US
dc.subject	Bi-crystal junction	en_US
dc.subject	Grain bundary junction	en_US
dc.subject	Step edgejunction	en_US
dc.subject	Flux line dynamics	en_US
dc.subject	RSCJ model	en_US
dc.subject	Transport property	en_US
dc.title	薄膜超導元件的研製與特性探討---鉈系2223 超導薄膜的人工弱連接接面的約瑟夫遜效應及磁通線動力研究(II)	zh_TW
dc.title	The Investigation of Josephson Effects & Flux Line Dynamics of T1-2223 Superconducting Artifical Weak Link Junctions(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子物理學系	zh_TW
Appears in Collections:	Research Plans