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dc.contributor.author溫增明en_US
dc.contributor.authorUEN TZENG-MINGen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:37Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:37Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.govdocNSC84-2112-M009-019-PHzh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96671-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=184454&docId=31857en_US
dc.description.abstract在本計畫內,我們擬以高臨界電流密度及微 單晶鉍系高溫超導薄膜製程,在Bi crystal基片上 製作Grain-boundary接面陣列,在Step-edged基片上製 作接面陣列,對本實驗室以前磁通線動力弱連 接模型做進一步深入了解與驗證.並以RSCJ模型 為基礎,模擬在外力磁場及微波照射下的電流- 電壓特性,期能對這些接面特性做系統性探討. 我們擬進行的主要工作為:(1) Bi crystal基片及一 般基板上製備品質穩定的Grain-boundary接面和Step-edged SNS及SIS接面;(2)以原子力顯微鏡(AFM),低 溫穿隧顯微鏡(LTSTM)和SEM觀察接面附近的狀況, 以瞭解造成弱連接接面的結構成因,並了解其 穿隧特性;(3)在外加磁場及微波輻射下,量測其 電流傳輸特性,以驗證磁通線動力的弱連接模 型.並量取RSCJ模型所需模擬參數,以與模擬結果 比較;(4)做RSCJ模型模擬.(此部分工作與郭義雄 教授合作).預計在本計畫執行期限內,可以建立 鉈系高品質超導薄膜較大尺度約瑟夫遜接面製 程.與今年執行的較小尺度內在弱連接微橋比 較,可增進瞭解不同尺度的系統性弱連接微橋 特性.並透過接面陣列可對顆粒性薄膜的磁通 線弱連接動力行為,包括磁通量子穿隧和直流- 交流相鎖定效應有實驗上的觀察.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject鉈系超導薄膜zh_TW
dc.subjectBi-crystal接面zh_TW
dc.subjectGrain-boundary接面zh_TW
dc.subjectStep-edge接面zh_TW
dc.subject磁通線動力模型zh_TW
dc.subjectRSCJ模型zh_TW
dc.subject電流傳輸特性zh_TW
dc.subjectTl-based filmen_US
dc.subjectBi-crystal junctionen_US
dc.subjectGrain bundary junctionen_US
dc.subjectStep edgejunctionen_US
dc.subjectFlux line dynamicsen_US
dc.subjectRSCJ modelen_US
dc.subjectTransport propertyen_US
dc.title薄膜超導元件的研製與特性探討---鉈系2223 超導薄膜的人工弱連接接面的約瑟夫遜效應及磁通線動力研究(II)zh_TW
dc.titleThe Investigation of Josephson Effects & Flux Line Dynamics of T1-2223 Superconducting Artifical Weak Link Junctions(II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子物理學系zh_TW
顯示於類別：研究計畫


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