矽基單晶微波積體電路振盪器之研製

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	蘇翔	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:39Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:39Z	-
dc.date.issued	1995	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC84-2215-E009-072	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96709	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=137950&docId=23105	en_US
dc.description.abstract	本計畫係82年度申請已核准執行之計畫(案號NSC83-0404-E009-007),"矽基單晶微波積體電路( SiMMIC)電晶體及被動元件之研製"個人計畫(三年 )改請整合型計畫之第四子計畫.本計畫之目的在利用已發展成功之矽基微波雙極性電晶體( Bipolar transistor)及被動元件如電阻、電容、電感、傳輸線或波導等.配合無線通信之需求,在製程上予以整合.先設計改良雙極性電晶體之特性,改用複晶矽射極(Poly emitter)技術,以提升其頻率,使適合作射頻振盪之用,其頻率在800MHz 至2.5GHz之間,並研究以複晶矽作電阻,共平面波導(Coplanar waveguide)作連接線以減低傳輸損失, 使回授相位達360.degree.而振盪.最重要之工作為電晶體特性之改良,參數擷取以供電路設計之需,並整合製程使主動元件與波動元件之製作能在最少裝程步驟,最少光罩需要要求下裝出單晶積體電路.本計畫先期以改良矽基雙極性電晶體(SiBJT)並研究SiGe材料及技術.第二年即開始設計及製作Ring oscillator MMIC,其結果經測試後供第三年作改良設計之用並開始試製SiGe HBT元件.第三年以製作適合無線通信之RF振盪器並設計試製電壓控制振盪器(Voltage controlled oscillator, VCR)以作爾後矽基MMIC製作之基礎.後期之研究工作與SiBJT及SiGe HBT並進,以決定適合之頻率領域.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	微波	zh_TW
dc.subject	矽	zh_TW
dc.subject	單石微波積體電路	zh_TW
dc.subject	共平面波導	zh_TW
dc.subject	壓控振盪器	zh_TW
dc.subject	Microwave	en_US
dc.subject	Silicon	en_US
dc.subject	MMIC	en_US
dc.subject	Coplanar waveguide	en_US
dc.subject	Voltage controlled oscillator	en_US
dc.subject	VCD	en_US
dc.title	矽基單晶微波積體電路振盪器之研製	zh_TW
dc.title	Silicon Based MMICs for Ring Qscillator and VCO	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學材料科學工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫