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dc.contributor.author李明知en_US
dc.contributor.authorLEE MING-CHIHen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:39:53Z-
dc.date.available2014-12-13T10:39:53Z-
dc.date.issued1995en_US
dc.identifier.govdocNSC84-2112-M009-022zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/96914-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=174203&docId=29757en_US
dc.description.abstract本計畫擬對於寬能隙光電半導體材料(如硫 化鋅、氮化鎵、碳化矽、硒化鋅或硫化鎘等) 之光學性質進行穿透、反射和光激發測量,並 分析其能隙隨溫度、組成比例和摻雜濃度變化 的關係.另外將使用拉曼散射方法檢查其聲子 頻譜與內部結構性質是否存有晶格不匹配之應 力效應及因化合物組成改變引致能隙移動所造 成之共振效應,與雜質濃度所形成能隙間能級 是否產生活化躍遷,再者由不同厚度樣品的拉 曼訊號可檢驗有限尺寸效應,並作為改進製備 程序的參考.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject寬能隙半導體zh_TW
dc.subject光學性質zh_TW
dc.subject拉曼散射zh_TW
dc.subjectWide energy gap semiconductoren_US
dc.subjectOptical propertyen_US
dc.subjectRaman studyen_US
dc.title寬能隙半導體材料之拉曼散射與光學性質研究zh_TW
dc.titleOptical Property and Raman Studies of Wide Energy Gap Semiconductorsen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立交通大學電子物理學系zh_TW
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