完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 李明知 | en_US |
| dc.contributor.author | LEE MING-CHIH | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:39:53Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:39:53Z | - |
| dc.date.issued | 1995 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | NSC84-2112-M009-022 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/96914 | - |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=174203&docId=29757 | en_US |
| dc.description.abstract | 本計畫擬對於寬能隙光電半導體材料(如硫 化鋅、氮化鎵、碳化矽、硒化鋅或硫化鎘等) 之光學性質進行穿透、反射和光激發測量,並 分析其能隙隨溫度、組成比例和摻雜濃度變化 的關係.另外將使用拉曼散射方法檢查其聲子 頻譜與內部結構性質是否存有晶格不匹配之應 力效應及因化合物組成改變引致能隙移動所造 成之共振效應,與雜質濃度所形成能隙間能級 是否產生活化躍遷,再者由不同厚度樣品的拉 曼訊號可檢驗有限尺寸效應,並作為改進製備 程序的參考. | zh_TW |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.subject | 寬能隙半導體 | zh_TW |
| dc.subject | 光學性質 | zh_TW |
| dc.subject | 拉曼散射 | zh_TW |
| dc.subject | Wide energy gap semiconductor | en_US |
| dc.subject | Optical property | en_US |
| dc.subject | Raman study | en_US |
| dc.title | 寬能隙半導體材料之拉曼散射與光學性質研究 | zh_TW |
| dc.title | Optical Property and Raman Studies of Wide Energy Gap Semiconductors | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |
| dc.contributor.department | 國立交通大學電子物理學系 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 研究計畫 | |
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