具有斷帶能隙的第二型異質結構半導體的激子態

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	朱仲夏	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:39:54Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:39:54Z	-
dc.date.issued	1994	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC83-0208-M009-060	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/96948	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=91925&docId=14018	en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	具有斷帶能隙的第二型異質結構半導體的激子態	zh_TW
dc.title	Exciton States in Type-II Broken-Gap Heterostructures	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學物理研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫