低漏電流複晶矽薄膜電晶體的低溫製作

Abstract

(1)研究背景:未來Poly-Si TFT除了應用於LCD之 Pixel transistor外,由於它可製作為CMOS組合,更被 看好可應用於LCD的邏輯,驅動等周邊電路上.迄 目前,LCD用Poly-Si TFT之研究發展上,為配合使用 玻璃基板,低溫製作高性能的Poly-Si TFT是關鍵技 術外,如何降低OFF漏電流仍是重要課題;(2)目的: 為了降低Poly-si的漏電流,在理論上探討Poly-Si TFT漏電流之傳導機制(Conductionmechanism),並設計 出新結構的Poly-Si TFT以解決漏電流的問題;(3)實 施方法:(a)製作一般傳統結構(即共平面自動對 準式結構,Co-planner, Self-aligned structure)之Poly-Si TFT,探討製程參數(包括:製程溫度,元件呎吋,複 晶矽膜厚,閘極絕緣膜SiO/sub 2/厚度,氫化條件); 偏壓條件與溫度效應對漏電流之影響,以澄清 漏電流的傳導機制;(b)探討已發表的各種降低 漏電流的方法(包括:Offset gate; Double gate; Field plate等結 構)之改善原理並比較其優缺點;(c)設 計並製作新結構的Poly-Si TFT(Field-plated doubleoffset gate poly-Si TFT),確定其對改善漏電流之有 效性;(4)預期成果:(a)配合HDTV重要科技發展,首 度於玻璃基板上發展LCD用低溫Poly-Si TFT元件技 術;(b)開發低漏電流Poly-Si TFT之嶄新結構,獲取 優越的元件性能;(c)前瞻性地先期開發LCD用關 鍵TFT技術,計畫完成時,可助國內相關產業縮短 國際水準後追年限.