以含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件

標題:	以含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件 Stable SiMOS Devices with Oxynitride Gate Dielectrics.
作者:	胡振國 HWU JENN-GWO 國立台灣大學電機工程學系
公開日期:	1994
官方說明文件#:	NSC83-0404-E002-018
URI:	http://hdl.handle.net/11536/97243 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=109741&docId=17462
顯示於類別：	研究計畫