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dc.contributor.author呂學士en_US
dc.contributor.authorSHEY-SHILUen_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:40:13Z-
dc.date.available2014-12-13T10:40:13Z-
dc.date.issued1994en_US
dc.identifier.govdocNSC83-0404-E002-015zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/97294-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=109729&docId=17459en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title磷化銦鎵 / 砷化鎵高崩潰電壓金屬-半導體場效電晶體之研製zh_TW
dc.titleThe Study of GaInP/GaAs High Break Voltage MESFETen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department國立台灣大學電機工程學系zh_TW
顯示於類別:研究計畫