光電及微波元件技術發展---子計畫二：雷射二極體及量子井結構(I)

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	荊鳳德	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:32Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:40:32Z	-
dc.date.issued	1994	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC83-0417-E009-017	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/97600	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=127654&docId=21351	en_US
dc.description.abstract	近年來,晶格匹配於GaAs基板的InGaP等三五族化合物,因具有較大的直接能隙,激發波長約從 550nm至670nm,為可見光區發光元件理想材料,極具商業開發價值的潛力.相較於AlGaAs/GaAs及 InGaAsP/InP雷射二極體系列,InGaAlP/GaAs仍屬發展較晚的領域,許多雷射的相關特性,仍需更進一步加以研究及改進(如:高功率條件下之熱阻與室溫連續操作的關係,鏡面鍍膜對雷射退化機制的改善...等).由於當元件縮小至小尺寸時,量子現象便顯現出來,因此研究量子效應對半導體雷射的影響,實在是往後設計元件上的一大考慮.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	雷射二極體	zh_TW
dc.subject	磷化鋁鎵銦	zh_TW
dc.subject	量子能井結構	zh_TW
dc.subject	Lasor diode	en_US
dc.subject	AlGaInP	en_US
dc.subject	Quantum well structure	en_US
dc.title	光電及微波元件技術發展---子計畫二：雷射二極體及量子井結構(I)	zh_TW
dc.title	Development of Laser Diodes and Quantum Well Structure(I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫