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dc.contributor.author馮明憲en_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:40:49Z-
dc.date.available2014-12-13T10:40:49Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.govdocNSC82-0417-E009-348zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/97855-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=65409&docId=9660en_US
dc.description.abstract本計畫針對寬能隙□-V族化合物AlGaInN,材料的 磊晶成長,分析及在光電元件上面的應用加以研 究,探討.因為調整Al,Ga和In的比例,可以使Al/sub 1-x- y/Ga/sub x/In/sub y/N的能隙由2eV完整到6.2eV(見圖1),即 由黃色光到紫外光的波長範圍.由於發光二極體 及雷射的應用日益增加,如何能發射出短波長的 可見光,是當今一個重要的課題.本計畫第一年度, 預計先從氮化鎵的低壓有機金屬化學氣相磊晶成 長(LP-MOCVD)著手,因為這是Al/sub1-x-y/Ga/sub x/In/sub y/ N四元磊晶成長的基礎,其最大目標在取得氮化鎵 磊晶成長在氧化鋁基板上,晶格匹配時的成長條 件,如溫度,流量,AlN(GaN)的緩衝層的厚度等的資料, 並進而從事N型和P型摻雜的研究,可能採用新的MO Source,期望能有突破性的發展,同時從事簡單的P-N 接面發光二極體的研製.第二年則以四元Al/sub 1-x- y/Ga/sub x/In/sub y/N化合物的磊晶成長為主,主要在 尋找適當的X,Y值,以得到和氧化鋁基板晶格匹配 的化合物,並研究異質磊晶成長的控制,以及從事 異質磊晶發光二極體及雷射二極體的研製.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject有機金屬化學氣相磊晶成長zh_TW
dc.subject藍色發光二極體zh_TW
dc.subject氮化鎵zh_TW
dc.subject發光二極體zh_TW
dc.subjectMOCVDen_US
dc.subjectBlue LEDen_US
dc.subjectGaNen_US
dc.subjectLEDen_US
dc.subjectAlGaNen_US
dc.titleAlGaN/GaN之低壓有機金屬化學氣相磊晶成長與分析及藍光LED之研製zh_TW
dc.titleGrowth and Characterization of AlGaN/GaN and Blue LED Fabricationen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學材料科學工程研究所zh_TW
顯示於類別：研究計畫


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