量子井線之製造與研究
Abstract
本計畫將採用Mesa蝕刻及傾斜超晶格法分別製 作一維電子系統之量子井線,Mesa蝕刻法中週期出 現線條圖案之印製係使用類似製作DFB雷射光柵所 用之全相製版技術(HolographicLithography),而Mesa則以 活性離子蝕刻法製成.傾斜超晶格法係在稍微朝( 011)方向斜傾(100)晶片之台階上長傾斜超晶格,使電子受到超晶格週期性位能變化之影響,製成量 子井線.製成之樣品將做TEM分析,並量取其 Photoluminescence及PhotoluminescenceExcitation光譜,以瞭 解其光電特性.