磷化銦面射型雷射相關問題研究

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	陳衛國	en_US
dc.contributor.author	WEI-KUOCHEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:40:51Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:40:51Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0417-E009-244	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/97897	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59727&docId=8759	en_US
dc.description.abstract	InP材料是長程光纖通信最重要的光電半導體材料.InP面射型雷射更由於其具有製造過程的簡易, 單模操作的特性,高光纖耦合效率,高速迅號調制的優點,咸信將會取代傳統邊射型雷射,逐漸在一般通訊系統及光電設備佔有一席之地.除此之外, InP面射型雷射因InP基座材料可以完全透光( TransparentSubstrate),相當低的表面復合速率(Surface Recombination Velocity),適用於平面化面射型雷射的設計以及未來大型光電積體電路化的需求.目前InP面射型雷射的研究大都採用InGaAsP/InP為主要材料由於其鏡厚過厚(.sim. 10 □m),串聯電阻過高(.sim. k .OMEGA. ,阻礙了其進一步的發展.本計畫擬採用AlAs/sub 0.52/ Sb/sub 0.48/ /In/sub0.53/ Ga/sub 0.47 / As為雷射反射鏡,其不僅鏡厚較薄(.sim. 3□m),更因其具有相當低的電洞能障( EV .apprxeq. 0.11eV),可以有效提升幾近10,000倍熱射電流,大幅降低串聯電阻至數歐姆的理想數值.使得InP面射型雷射進入具體可行的階段.所以計畫初期研究的目標將擺在降低串聯電阻的相關研究.	zh_TW
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	磷化銦	zh_TW
dc.subject	面射型雷射	zh_TW
dc.subject	串聯電阻	zh_TW
dc.subject	InP	en_US
dc.subject	Surface-emitting laser	en_US
dc.subject	Series resistance	en_US
dc.title	磷化銦面射型雷射相關問題研究	zh_TW
dc.title	Series Study of Novel InP Surface-Emitting Laser	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子物理學系	zh_TW
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