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dc.contributor.author林健正en_US
dc.date.accessioned2014-12-13T10:40:59Z-
dc.date.available2014-12-13T10:40:59Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.govdocNSC82-0405-E009-105zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/98058-
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=9101&docId=960en_US
dc.description.abstract本實驗先以熱壓的方法製成矽酸鋁/氧化鋯/碳 化矽鬚晶或顆粒的複合物,再將之暴露在1000-1350 □的大氣中,其中碳化矽受到氣化作用而在表面 生成一層二氧化矽.在過去,矽酸鋁/氧化鋯/碳化 矽鬚晶複合物氧化行為的研究中,本作者曾依據氧化層的型態(Oxidation Morphologies)和距試片最表面 不同深度二氧化矽的厚度,將其氧化行為劃分為 兩種基本的模式.然至今為止,一般人對複合材料 的氧化行為仍不甚清楚,也未做過有系統的研究 工作;尤其是陶瓷基底成分的組成對氧化行為的 影響更是缺乏.本實驗的主要目的是要研究氧化鋯的含量和氧化 鋯中所含的相穩定劑(Phase Stabilizer)對矽酸鋁/氧 化鋯/碳化矽複合物氧化行為的影響,包含有下列 三個主要的方向.茲分述如下:ぇ由氧化試片單位表面積重量的變化對時間的變 化情形來研究複合物的氧化動力(Oxidation Kinetics) 現象.え在不同的氧化階段或深度,由金相顯微組織的 變化,再加上X-射線繞射分析所得到的結果,推演 出複合物的氧化機構(Oxidation Mechanism).ぉ以TEM觀察氧化試片的橫切面(Cross-section),實際 測量二氧化矽的厚度對深度的關係圖,來研判複 合物的氧化模式.zh_TW
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject矽酸鋁zh_TW
dc.subject氧化鋯zh_TW
dc.subject碳化矽鬚晶zh_TW
dc.subject氧化行為zh_TW
dc.subject氧化模式zh_TW
dc.subject高溫zh_TW
dc.subjectMulliteen_US
dc.subjectZirconiaen_US
dc.subjectSilicon carbideen_US
dc.subjectOxidation behavioren_US
dc.subjectOxidation modeen_US
dc.subjectHigh temperatureen_US
dc.title矽酸鋁-氧化鋯-碳化矽的高溫氧化行為zh_TW
dc.titleThe Oxidation Behavior of Mullite-Zinonia-SiC Composites at High Temperaturesen_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學材料科學工程研究所zh_TW
顯示於類別：研究計畫


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