标题: 应用于高密度资料储存记忆体与电子突触之BiCS 三维电阻式记忆体开发
BiCS 3D Rram Technology for High-Density Data-Storage Memory and Electronic Synapses Applications
作者: 侯拓宏
Hou Tuo-Hung
国立交通大学电子工程学系及电子研究所
公开日期: 2014
官方说明文件#: NSC102-2221-E009-188-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/98772
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8122256&docId=432831
显示于类别:Research Plans