标题: | 应用于高密度资料储存记忆体与电子突触之BiCS 三维电阻式记忆体开发 BiCS 3D Rram Technology for High-Density Data-Storage Memory and Electronic Synapses Applications |
作者: | 侯拓宏 Hou Tuo-Hung 国立交通大学电子工程学系及电子研究所 |
公开日期: | 2014 |
官方说明文件#: | NSC102-2221-E009-188-MY3 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/98772 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=8122256&docId=432831 |
显示于类别: | Research Plans |