标题: 新颖透明电阻式记忆体元件于高密度与低功率消耗的非挥发性记忆体应用
Novel Transparent Resistive Random Access Memory for High Density and Low Power Nonvolatile Memory Application
作者: 曾俊元
TSENG TSEUNG-YUEN
国立交通大学电子工程学系及电子研究所
公开日期: 2013
官方说明文件#: NSC102-2221-E009-134-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/99739
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3085940&docId=414884
显示于类别:Research Plans