标题: | 新颖透明电阻式记忆体元件于高密度与低功率消耗的非挥发性记忆体应用 Novel Transparent Resistive Random Access Memory for High Density and Low Power Nonvolatile Memory Application |
作者: | 曾俊元 TSENG TSEUNG-YUEN 国立交通大学电子工程学系及电子研究所 |
公开日期: | 2013 |
官方说明文件#: | NSC102-2221-E009-134-MY3 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/99739 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=3085940&docId=414884 |
显示于类别: | Research Plans |