次微米互補式鎖住效應及靜電放電免疫力之工程改進

Abstract

本計畫可分成兩部分:(1)鎖住(Latchup):由以前 的理論研究,已詳知各元件參數對Latchup特性的 影響關係.本計畫著手於佈局(Layout)的間距( Spacing)上,以PISCES程式先做模擬,並對Trenchwith conductor結構做深入探討,以獲取間距上的工程 實用資料做為實驗下線的依據,以期有效地大 幅縮短Latchup Rules中Spacing;(2)ESD protection(靜電防 護):在上年度的實驗中,已完成新的SCR layout形 式,其VDD-to-VSS latchup的Holding voltage可高達17.5V,遠大於VDD的5V,已克服了ESD protection circuit內的 Latchup問題,本年度繼續在Layout及結構上做最佳 化的改善,以符合IC產品上的使用要求.