超高真空化學氣相沈積低溫新穎複晶矽薄膜電晶體之製作與可靠度分析---子計畫II：退火製程對超高真空化學氣相沈積法成長之複晶矽薄膜結構的影響與退火複晶矽薄膜電晶體的製作 (II)

Date

Authors

Keywords

退火效應 , 薄膜電晶體 , 複晶矽 , Annealing effect , Thin film transistor , Polysilicon

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542196&docId=99609
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/101226

Collections

研究計畫;;Research Plans