具有形變通道之互補式金氧半元件製作與分析
| dc.contributor.author | 黃調元 | en_US |
| dc.contributor.author | TIAO-YUANHUANG | en_US |
| dc.contributor.department | 交通大學電子工程系 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2014-12-13T10:31:30Z | |
| dc.date.available | 2014-12-13T10:31:30Z | |
| dc.date.issued | 2004 | en_US |
| dc.description.abstract | 本計畫將製作具有形變矽、形變矽鍺表面通道之金氧半場效電晶體於矽鍺虛擬基板 上。伸張形變矽可提高電子與電洞移動率，壓縮形變矽鍺可提高電洞移動率，本實驗將 探討載子於不同晶向(100)、(110)與通道方向上<100>、<110>行進，形變對載子移動率 的作用；此外，當形變通道厚度縮減後所遇到的鍺層間擴散、額外的合金散射、界面密 度的增加等因素亦探討之；最後，高溫引致的形變釋放、矽鍺金屬矽化反應、矽鍺內摻 質擴散率的改變、電性上的自動加熱效應、負偏壓溫度不穩定性等等製程與分析問題與 載子移動率的關係，亦涵蓋在計畫的研究內。 | zh_TW |
| dc.description.sponsorship | 行政院國家科學委員會 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | NSC93-2215-E009-033 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1026694&docId=195181 | en_US |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/90988 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.subject | 形變矽 | zh_TW |
| dc.subject | 形變矽鍺 | zh_TW |
| dc.subject | 矽鍺虛擬基板 | zh_TW |
| dc.subject | 合金散射 | zh_TW |
| dc.subject | 負偏壓溫度不穩定性 | zh_TW |
| dc.title | 具有形變通道之互補式金氧半元件製作與分析 | zh_TW |
| dc.title | Fabrication and Characterization of CMOS Devices with Strained Channel | en_US |
| dc.type | Plan | en_US |