具有形變通道之互補式金氧半元件製作與分析

Abstract

本計畫將製作具有形變矽、形變矽鍺表面通道之金氧半場效電晶體於矽鍺虛擬基板 上。伸張形變矽可提高電子與電洞移動率，壓縮形變矽鍺可提高電洞移動率，本實驗將 探討載子於不同晶向(100)、(110)與通道方向上<100>、<110>行進，形變對載子移動率 的作用；此外，當形變通道厚度縮減後所遇到的鍺層間擴散、額外的合金散射、界面密 度的增加等因素亦探討之；最後，高溫引致的形變釋放、矽鍺金屬矽化反應、矽鍺內摻 質擴散率的改變、電性上的自動加熱效應、負偏壓溫度不穩定性等等製程與分析問題與 載子移動率的關係，亦涵蓋在計畫的研究內。