阻擋銅擴散之障礙層複合材料
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I300255 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 崔秉鉞 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃誌鋒 | en_US |
| dc.contributor.author | 李佳蓉 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:59Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:59Z | |
| dc.date.issued | 2008-08-21 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明關於銅擴散障礙層複合材料或具有該材料之裝置,係由Ta與Pt所組成,Pt之摻雜量約在35原子數(at.)%以下,且於500℃以上之高溫下,該材料仍可維持非結晶之特性而可阻擋銅原子擴散並具有與Ta等同低之電阻係數。本發明之製法,包括TaPt合金材料之選取步驟,及進行該障礙層之沉積步驟,使該合金材料於一蒸鍍系統中,形成於Cu導電層與預定之隔離物之間,該預定之隔離物,可為一矽基板,或半導體裝置之閘極,或多重導線之電極等裝置其中之一。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/768 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C01G055/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C01G035/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/106221 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 阻擋銅擴散之障礙層複合材料 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |