高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200616100 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 陳三元 | en_US |
| dc.contributor.author | 林晉慶 | en_US |
| dc.contributor.author | 陳虹蓓 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:30Z | |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:30Z | |
| dc.date.issued | 2006-05-16 | en_US |
| dc.description.abstract | 本發明一種高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法，其係在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上，經由化學溶液法在低溫(55–95℃)環境下成長陣列式排列之氧化鋅奈米結構，接著再經過氨氣(NH3)電漿處理使氮離子藉著表面吸附或缺陷路徑來擴散而形成氮摻雜P型氧化鋅奈米結構。因此，本發明可製造規則排列的氮摻雜氧化鋅奈米線，並且可應用在p–n接面和半導體異質結構的光電元件上，具有高可靠、低熱處理成本、快速熱處理、元件產出效率高等功效。 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/44 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/44 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/104189 | |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |