高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法

Abstract

本發明一種高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法，其係在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上，經由化學溶液法在低溫(55–95℃)環境下成長陣列式排列之氧化鋅奈米結構，接著再經過氨氣(NH3)電漿處理使氮離子藉著表面吸附或缺陷路徑來擴散而形成氮摻雜P型氧化鋅奈米結構。因此，本發明可製造規則排列的氮摻雜氧化鋅奈米線，並且可應用在p–n接面和半導體異質結構的光電元件上，具有高可靠、低熱處理成本、快速熱處理、元件產出效率高等功效。