| 标题: | 高度阵列式排列具掺杂元素之P型氧化锌奈米结构制造方法 |
| 作者: | 陈三元 林晋庆 陈虹蓓 |
| 公开日期: | 16-五月-2006 |
| 摘要: | 本发明一种高度阵列式排列具掺杂元素之P型氧化锌奈米结构制造方法，其系在镀有氧化锌薄膜的矽基板上，经由化学溶液法在低温(55–95℃)环境下成长阵列式排列之氧化锌奈米结构，接着再经过氨气(NH3)电浆处理使氮离子藉着表面吸附或缺陷路径来扩散而形成氮掺杂P型氧化锌奈米结构。因此，本发明可制造规则排列的氮掺杂氧化锌奈米线，并且可应用在p–n接面和半导体异质结构的光电元件上，具有高可靠、低热处理成本、快速热处理、元件产出效率高等功效。 |
| 官方说明文件#: | H01L021/44 H01L021/44 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/104189 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | 200616100 |
| 显示于类别： | Patents |
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