標題: 高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法
作者: 陳三元
林晉慶
陳虹蓓
公開日期: 16-五月-2006
摘要: 本發明一種高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法,其係在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上,經由化學溶液法在低溫(55–95℃)環境下成長陣列式排列之氧化鋅奈米結構,接著再經過氨氣(NH3)電漿處理使氮離子藉著表面吸附或缺陷路徑來擴散而形成氮摻雜P型氧化鋅奈米結構。因此,本發明可製造規則排列的氮摻雜氧化鋅奈米線,並且可應用在p–n接面和半導體異質結構的光電元件上,具有高可靠、低熱處理成本、快速熱處理、元件產出效率高等功效。
官方說明文件#: H01L021/44
H01L021/44
URI: http://hdl.handle.net/11536/104189
專利國: TWN
專利號碼: 200616100
顯示於類別:專利資料


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