高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳三元	en_US
dc.contributor.author	林晉慶	en_US
dc.contributor.author	陳虹蓓	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:30Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:30Z	-
dc.date.issued	2006-05-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/44	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/44	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104189	-
dc.description.abstract	本發明一種高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法，其係在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上，經由化學溶液法在低溫(55–95℃)環境下成長陣列式排列之氧化鋅奈米結構，接著再經過氨氣(NH3)電漿處理使氮離子藉著表面吸附或缺陷路徑來擴散而形成氮摻雜P型氧化鋅奈米結構。因此，本發明可製造規則排列的氮摻雜氧化鋅奈米線，並且可應用在p–n接面和半導體異質結構的光電元件上，具有高可靠、低熱處理成本、快速熱處理、元件產出效率高等功效。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200616100	zh_TW
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