以分子束磊晶所長半導體光電元件介觀物理之研究(I)

Abstract

本計劃為三年期計劃，我們將繼續利用分子束磊晶系統成長半導 體二維共振腔結構，製作光電元件並探討在這些光電量子系統中其介 觀物理特性。過去兩年之計畫中我們已發現在微共振腔雷射內包括面 射型垂直共振腔雷射及微型共振腔固態雷射中其高階橫模可與二維 介觀量子共振腔內之波函數做一極佳之對應。在新的三年計畫中我們 將針對在介觀尺度下，量子與古典間之關聯性及其微妙之轉換做一完 整系列之研究探討；利用更大尺度之微共振腔雷射，觀測由低階態逐 漸轉換至極高階態時之共振波函數變化，同調波函數局域化出現之機 制將是我們要探討之重點。另外在高階模態中亦有與古典軌跡不相關 之共振波函數，一般對物理系統的認知是，當尺度極大時或在極為高 階之能量時，古典粒子行為必然出現，但若仍具有量子特性，其與巨 觀量子現象之關係又如何，這也是我們將要探討的另一重點。最後在 介觀系統中，我們初步發現某些特殊同調波函數有極高出現之機率， 其選擇法則(selection rules)亦將是探討之重點。三年期中我們仍 將延續先前超快雷射產生Tera Hz 輻射之研究，同時亦將繼續以分子 束磊晶成長具飽和吸收體反射鏡做超快鎖模雷射之探討。